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来源: | 作者:thinks | 发布时间: 2023-12-15 | 23 次浏览 | 分享到:

作者 | zhou ming

cst教程-pcb近场辐射仿真(三) 

注:图片来自互联网。

pcb板级emc设计中,有时候为了抑制器件或走线的近场辐射问题,会采用分腔屏蔽的办法,如上图所示。金属上盖按照不同的功能区域进行分腔设计,隔筋的位置要用到金属簧片、导电布、导电胶等屏蔽材料,避免出现长的缝隙。本期介绍如何仿真有屏蔽罩的pcb的近场辐射。

屏蔽罩的3d建模

金属屏蔽罩可以从cad模型直接导入,四个角落是螺钉,材料设置为alumina。中间长缝隙位置填充导电胶。

cst教程-pcb近场辐射仿真(三) 

cst教程-pcb近场辐射仿真(三) 

导电胶的3d建模

导电胶等屏蔽材料的建模是仿真的最大难点之一。目前常用的建模思路有电阻等效和材料等效等方法,不管哪种方法,首先要做的精确的测量屏蔽材料压缩后的搭接阻抗。对于直流(dc)或者低频段(khz、mhz)的阻抗测量,可以采用阻抗分析仪等工具,配合专用的测试卡具。对于高频段(ghz)的搭接阻抗测量,需要设计专门的测试工装,借助网络分析仪等高频测试设备。在测量过程中要记录好三维尺寸、压缩量、压力、搭接阻抗值等关键数据。

有了测试数据,接下来可以利用cst的partial rlc求解器对压缩后的屏蔽材料进行3d建模,在上下接触面设置node,根据搭接阻抗的测量结果转换成材料的电导率,这样就完成了屏蔽材料的3d建模。

cst教程-pcb近场辐射仿真(三) 

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添加近场probe

导电胶两侧位置添加e-probe和h-probe,可以对比两侧场强的差异,用来评估屏蔽罩的屏效指标。

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屏蔽罩近场辐射结果分析

我们先看看下图两个位置的h-probe接收的磁场强度差异,相差7db。

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再看看下图两个位置的e-probe接收的电场强度差异,相差19db。

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还可以通过设置场监视器来监测屏蔽罩内外电场和磁场的差异,可以明显看出低频情况下,铝金属外壳对电场的屏效要明显好于磁场。

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(内容、图片来源:cst仿真专家之路公众号,侵删)

 

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