作者 | wang yuanteng
我们在faq131:如何使用chip interface导入gdsii文件?中介绍过使用process queue模拟ic制造的步骤。其中沉积是其中非常重要的步骤,那么如何设置沉积共形呢?
下面我们以一个具体模型为例,介绍沉积共形的设置方法。
该例中,图中所示粉色部分为沉积层imd6,厚度为3.6um,图中黄色部分为上一步生成的金属层metal6。此时,沉积层设置为默认设置,从图中可以看出并无共形。
参考帮助文档,其中对沉积共形设置做了明确解释:
沉积共形由3个厚度决定,分别是图中的thickness、sidethickness和topthickness。其中,topthickness的定义方式有两种,可以是参考到芯片上方的absolute to top of chip,也可以是参考到整个沉积层的relative to thickness。另外,如果未指定sidethickness,那么该值与thickness相同。同样的,如果topthickness没有指定的话,也被认为等于thickness。
了解清楚后,我们尝试一下修改沉积共形设置如下。将沉积层整体厚度改为0.5um,sidethickness为1um,topthickness为absolute to top of chip 0.3um,也就是芯片上面高出0.3um。
生成沉积共形效果如下:
再来看对sidethickness和topthickness都没指定设置的情况,只设了thickness为1。
从下图可以看出,正如前文所说,sidethickness和topthickness均为1um,在金属线的周围是一个均匀厚度的1um共形。
搞清楚共形如何设置之后,我们就可以根据实际需要进行共形设置了。
(内容、图片来源:cst仿真专家之路公众号,侵删)
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